Samsung prvi u industriji predstavlja karticu microSD SD Express od 256 GB koja postiže četiri
puta veću brzinu nego trenutačno sučelje
Samsungova kartica microSD UHS-1 od 1 TB u masovnoj proizvodnji temelji se na najnovijoj
tehnologiji V-NAND
O društvu Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung nadahnjuje svijet i oblikuje budućnost revolucionarnim idejama i tehnologijama. Postavlja novestandarde za televizore, pametne telefone, nosive uređaje, tablete, kućne uređaje, mrežne sustave imemorije, sustave LSI, poluvodiče te LED rješenja i omogućava neometanu upotrebu mreže zahvaljujućiekosustavu SmartThings i otvorenoj suradnji s partnerima. Za najnovije vijesti posjetite Samsung Newsroomna adresi news.samsung.com.
1 1 gigabajt (GB) = 1 000 000 000 bajtova (1 milijarda bajtova). Stvarni iskoristivi kapacitet može varirati.
2 SD Express: Sučelje nove kartice SD ima PCIe Gen3x1 (na temelju specifikacije SD 7.1 objavljene u veljači 2019.) te teoretska brzina prijenosa kartice SD Express iznosi 985 MB/s
3 1 terabajt (TB) = 1 000 000 000 000 bajtova (1 bilijun bajtova). Stvarni iskoristivi kapacitet može varirati.
4 Samsung ne preuzima odgovornost za oštećenja i/ili gubitak podataka ili troškove koji nastanu zbog vraćanja podataka s memorijske kartice. Navedene zaštite odnose se samo na karticu microSD UHS-1 od 1 TB, a ne na karticu microSDSD Express od 256 GB. Dubina do 1 m, slana voda, 72 sata. Radne temperature od -25 ℃ do 85 ℃ (-13 °F do 185 °F), temperature u mirovanju od -40 ℃ do 85 ℃ (-40 °F do 185 °F). Može podnijeti rendgensko zračenje u zračnim lukama(do 100 mGy). Magnetska polja jednakovrijedna magnetskoj rezonanciji visoke razine (do 15 000 gaussa). Podnosi padove s visina do 5 m (16,4 stopa). Do 10 000 prelazaka prstom.