Noile carduri microSD de la Samsung oferă performanță înaltăși capacitate ridicată noii ere a dispozitivelor mobile și ainteligenței artificiale

29 February 2024

Samsung distribuie mostre ale primului card microSD SD Express de 256 GB din industrie, cu
viteze de peste patru ori mai mari decât interfața curentă
Cardul microSD Samsung UHS-1 de 1 TB, bazat pe cea mai recentă tehnologie V-NAND, este dat
în producție de masă

Compania Samsung Electronics Co., Ltd., lider mondial în tehnologiaavansată a memoriei, a anunțat astăzi că a inițiat distribuția de mostre ale cardului microSD ¹SD Express² de256 gigabyți (GB), cu o viteză de citire secvențială de până la 800 megabyți pe secundă (MB/s) și a începutproducția în masă a cardului microSD UHS-1 de 1 terabyte (TB)³. Odată cu introducerea noii generații decarduri microSD, Samsung își propune să ofere soluții de memorie diferențiate necesare pentru dispozitivelemobile viitoare și pentru aplicațiile bazate pe inteligența artificială.

„Cu cele două noi carduri microSD, Samsung oferă soluții eficiente pentru a răspunde cerințelor tot mai mariale dispozitivelor mobile și inteligenței artificiale”, a declarat Hangu Sohn, vicepreședinte al echipei MemoryBrand Product Biz de la Samsung Electronics. „În ciuda dimensiunii lor mici, aceste carduri de memorieoferă performanțe puternice de tip SSD și capacitate ridicată pentru a ajuta utilizatorii să folosească maieficient aplicațiile moderne și viitoare din ce în ce mai solicitante.”

Primul card microSD SD Express din industrie oferă viteze maxime de 800 MB/s

Pentru prima dată în industrie, Samsung a introdus un nou card microSD de înaltă performanță bazat peinterfața SD Express. Acesta este rezultatul unei colaborări de succes cu un client pentru a crea un produspersonalizat.

Datorită designului său cu consum scăzut de energie, precum și tehnologiei firmware optimizate pentruperformanțe ridicate și gestionare termică, cardul microSD SD Express de la Samsung oferă performanțeechivalente cu SSD-urile, într-o dimensiune redusă. În timp ce vitezele de citire pentru cardurile microSDtradiționale bazate pe interfața UHS-1 erau limitate la 104 MB/s, cardul SD Express a reușit să le ridice la985 MB/s, deși disponibilitatea comercială a acestora din urmă nu fusese viabilă până acum în cazulcardurilor microSD.

Viteza de citire secvențială a cardului microSD SD Express de la Samsung ajunge până la 800 MB/s, de 1,4ori mai rapidă decât cea a SSD-urilor SATA (până la 560 MB/s) și de peste patru ori mai rapidă încomparație cu cea a cardurilor de memorie UHS-1 tradiționale (până la 200 MB/s), permițând o operareîmbunătățita a diferitelor aplicații, pe PC-uri și dispozitive mobile. Pentru a asigura o performanță și ofiabilitate stabile într-o dimensiune redusă, tehnologia Dynamic Thermal Guard (DTG) menține temperaturaoptimă a cardului microSD SD Express, chiar și în timpul sesiunilor lungi de utilizare.

Cardul microSD UHS-1 de 1 TB cu V-NAND de ultimă generație, de 1 TB

Noul card microSD de 1 TB de la Samsung stivuiește opt straturi de V-NAND de 1-terabit (Tb) din a 8-agenerație a companiei, într-o dimensiune microSD, realizând o unitate de mare capacitate, posibilă în trecutdoar în cazul SSD-urilor. Noul card microSD de 1 TB trece cele mai riguroase condiții de testare din industrieși oferă o utilizare fiabilă chiar și în medii dificile, cu caracteristici precum protecția împotriva apei și a temperaturii extreme, un design rezistent la cădere, protecția împotriva uzurii, precum și protecția împotrivarazelor X și a undelor magnetice⁴.

Disponibilitate

Atât cardul microSD SD Express de 256 GB cât și cardul microSD UHS-1 de 1 TB vor fi disponibile pentruachiziționare în cursul acestui an.

Despre Samsung Electronics Co. Ltd.

Samsung inspiră lumea și conturează viitorul prin idei și tehnologii transformative. Compania redefineștedomeniul televizoarelor, al telefoanelor inteligente, al dispozitivelor purtabile, al tabletelor, al aparatelorelectrocasnice, sistemelor de rețea și soluțiilor de memorie, al sistemelor LSI și soluțiilor LED și oferă oexperiență facilă și conectată prin ecosistemul SmartThings și colaborarea deschisă cu partenerii. Pentrucele mai recente noutăți, accesează Samsung Newsroom: news.samsung.com.

1 1 gigabyte (GB) = 1.000.000.000 de byți (1 miliard de byți). Capacitatea utilă reală poate varia.
2 SD Express: Noua interfață a cardului SD cu PCIe Gen3x1 (pe baza specificației SD 7.1 lansată în februarie 2019); viteza teoretică de transfer a unui card SD Express este de 985MB/s
3 1 terabyte (TB) = 1.000.000.000.000 de terabyți (1 trilion de terabyți). Capacitatea utilă reală poate varia.
4 Samsung nu este răspunzătoare pentru daune și/sau pierderi de date sau cheltuieli suportate pentru recuperarea datelor de pe cardul de memorie. Cele șase protecții se aplică numai pentru cardul microSD UHS-1 de 1 TB, nu și pentrucardul microSD SD Express de 256 GB. 1m adâncime, apă sărată, 72 ore. Temperaturi de funcționare între -25 ℃ și 85 ℃ (-13 °F la 185 °F), temperaturi de nefuncționare între -40℃ și 85 ℃ (-40 °F la 185 °F). Rezistă la aparatele standardcu raze X din aeroport (până la 100 mGy). Echivalentul unui scaner RMN cu câmp magnetic de intensitate mare (până la 15.000 gauss). Rezistă la căderi de până la 5 metri (16,4 ft). Până la 10.000 de glisări.

Patryk Sałacki

Account Manager at better. gaming agency