Samsung preizkuša prvo kartico SD Express microSD s kapaciteto 256 GB v industriji, ki seponaša s hitrostjo, ki je več kot štirikrat hitrejša od trenutnega vmesnika
Samsungova kartica microSD UHS-1 s kapaciteto 1 TB za masovno proizvodnjo, ki temelji na
najnovejši tehnologiji V-NAND
O družbi Samsung Electronics Co., Ltd.
Samsung navdihuje svet in oblikuje prihodnost s transformativnimi idejami in tehnologijami. Družba na novooblikuje svet televizorjev, pametnih telefonov, nosljivih naprav, tabličnih računalnikov, gospodinjskihaparatov, omrežnih sistemov ter pomnilniških, LSI-sistemskih, livarskih in LED rešitev in s svojimekosistemom SmartThings ter odprtim sodelovanjem s partnerji zagotavlja nemoteno doživetje povezljivosti.Najnovejše novice so na voljo v Samsungovem Newsroomu na naslovu news.samsung.com.
1 1 gigabajt (GB) = 1.000.000.000 bajtov (1 milijarda bajtov). Dejanska uporabna kapaciteta se lahko razlikuje.
2 SD Express: Nov vmesnik za kartico SD s PCIe Gen3x1 (temelji na specifikaciji SD 7.1, izdani februarja 2019), teoretična hitrost prenosa kartice SD Express je 985 MB/s
3 1 terabajt (TB) = 1.000.000.000.000 bajtov (1 trilijon bajtov). Dejanska uporabna kapaciteta se lahko razlikuje.
4 Družba Samsung ni odgovorna za kakršno koli škodo in/ali izgubo podatkov ali stroške, ki nastanejo zaradi obnovitve podatkov na pomnilniški kartici. Zahtevanih šest dokazov velja samo za kartico microSD UHS-1 s kapaciteto 1 TB, ne paza kartico microSD SD Express s kapaciteto 256 GB. Globina 1 metra, slana voda, 72 ur. Delovne temperature od –25 ℃ do 85 ℃ (–13 °F do 185 °F), nedelovne temperature –40 ℃ do 85 ℃ (–40 °F do 185 °F). Zdrži standardneletališke rentgenske naprave (do 100 mGy). Magnetna polja:enakovredna skenerju za magnetno resonanco z močnim poljem (do 15.000 gausov). Odporno na padce v višine do 5 metrov (16,4 čevljev). Do 10.000 potegov.