Samsung testira prvu microSD karticu u industriji SD Express od 256 GB koja se može pohvaliti
brzinama koje su preko četiri puta veće od trenutnog interfejsa
Samsung 1 TB UHS-1 microSD kartica u masovnoj proizvodnji zasnovana na najnovijoj V-NAND
tehnologiji
O kompaniji Samsung Electronics Co. Ltd.
Samsung inspiriše svet i oblikuje budućnost transformativnim idejama i tehnologijama. Ova kompanijaredefiniše svet televizora, pametnih telefona, nosivih uređaja, tableta, kućnih aparata, mrežnih sistema imemorije, sistema LSI, proizvodnje mikročipova i LED rešenja i pruža besprekorno povezano iskustvo krozekosistem SmartThings i otvorenu saradnju sa partnerima. Najnovije vesti možete da pronađete u SamsungNewsroom-u na linku news.samsung.com.
1 1 gigabajt (GB) = 1.000.000.000 bajtova (1 milijarda bajtova). Stvarni upotrebni kapacitet može varirati.
2 SD Express: Novi interfejs SD kartice sa PCIe Gen3x1 (zasnovan na SD 7.1 specifikaciji objavljenoj u februaru 2019. godine), teoretska brzina prenosa SD Express kartice je 985 MB/s
3 1 terabajt (TB) = 1.000.000.000.000 bajtova (1 trilion bajtova). Stvarni upotrebni kapacitet može varirati.
4 Samsung nije odgovoran za bilo kakvu štetu i/ili gubitak podataka ili troškove koji su nastali prilikom spasavanja podataka sa memorijske kartice. Šest navedenih tipova zaštite odnose se samo na 1 TB UHS-1 microSD karticu, ne i na SDExpress microSD karticu od 256 GB. Dubina 1 m, slana voda, 72 sata. Radne temperature od -25 ℃ do 85 ℃ (-13 °F do 185 °F), temperature kada ne radi od -40 ℃ do 85 ℃ (-40 °F do 185 °F). Podnosi standardne rendgenske aparate naaerodromu (do 100 mGy). Ekvivalent magnetnog polja MR skenera visokog polja (do 15.000 gausa). Podnosi padove do 5 metara (16,4 stope). Do 10.000 prevlačenja.